STL90N10F7

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N沟道100 V、0.007 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

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  • This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主要特性

    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent FoM (figure of merit)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

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      基于STCH03 QR反激式控制器和SRK1000B自适应同步整流控制器的45W / 12V电源

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS9621
      N-channel 100 V, 7 mΩ typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
      7.0
      838.1 KB
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      DS9621

      N-channel 100 V, 7 mΩ typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
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      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
      1.1
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
      1.22 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      AN4789

      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance

      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      STL90N10F7 PSpice model 2.0
      3.58 KB
      ZIP

      STL90N10F7 PSpice model

出版刊物和宣传资料

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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
      PDF
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF
      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
      1.15 MB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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PowerFLAT 5x6 工业 Ecopack2

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Package:

PowerFLAT 5x6

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Package

PowerFLAT 5x6

Grade

Industrial

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 5x6 - - CHINA 1.2 / 1k

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

PowerFLAT 5x6

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商