STL90N3LLH6

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N沟道30 V、0.004 Ohm典型值、90 A STripFET H6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

    主要特性

    • RDS(on)* Qgindustry benchmark
    • Extremely low on-resistance RDS(on)
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power losses
    • Very low switching gate charge

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS6198
      N-channel 30 V, 0.0038 Ω typ., 24 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in PowerFLAT™ 5x6 package
      4.0
      720.16 KB
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      DS6198

      N-channel 30 V, 0.0038 Ω typ., 24 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in PowerFLAT™ 5x6 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN1506
      A motor drives system for wheelchair applications
      1.2
      139.23 KB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
      PDF
      AN4150
      Power MOSFET technology gate current needs in a synchronous buck converter
      1.2
      1.35 MB
      PDF
      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4192
      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application
      1.0
      4.8 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      AN1506

      A motor drives system for wheelchair applications

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      AN4150

      Power MOSFET technology gate current needs in a synchronous buck converter

      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      AN4192

      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      STL90N3LLH6 Pspice model (.lib) 1.0
      936 Byte(s)
      ZIP

      STL90N3LLH6 Pspice model (.lib)

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

质量与可靠性

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STL90N3LLH6
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PowerFLAT 5x6 工业 Ecopack2

STL90N3LLH6

Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

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批量生产

Package

PowerFLAT 5x6

Grade

Industrial

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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包装类型

Tape And Reel

封装

PowerFLAT 5x6

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(最大值)

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Country of Origin

CHINA

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