STLD125N4F6AG

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Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 dual side cooling package

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  • 该器件是采用STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。

    主要特性

    • 通过AEC-Q101认证
    • 超低导通电阻
    • 超低栅极电荷
    • 高雪崩坚固性
    • 低栅驱动功率损耗
    • 侧面可焊性封装

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STLD125N4F6AG PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling Tape And Reel
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      Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mΩ typ., 120 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 DSC
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      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
      1.22 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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      STLD125N4F6AG PSpice model 1.0
      10.04 KB
      ZIP

      STLD125N4F6AG PSpice model

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
      PDF
      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
      1.15 MB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STLD125N4F6AG
批量生产
PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling Automotive Ecopack2

STLD125N4F6AG

Package:

PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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