产品概述
描述
该器件是采用STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS（on）。
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所有功能
- 通过AEC-Q101认证
- 超低导通电阻
- 超低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 低栅驱动功率损耗
- 侧面可焊性封装
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STLD125N4F6AG
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符号
封装
3D模型
全部资源
| Resource title | 版本 | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 22 May 2017 | 22 May 2017 |
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STLD125N4F6AG | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | NRND | EAR99 | NEC | Tape and Reel | PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling | - | - | CHINA | | ||
STLD125N4F6AG NRND
封装:
PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
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