STLD200N4F6AG

NRND
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汽车级N沟道40 V、1.27 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6双侧冷却封装

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产品概述

描述

该器件是采用STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)
  • 所有功能

    • 通过AEC-Q101认证
    • 超低导通电阻
    • 超低栅极电荷
    • 高雪崩坚固性
    • 低栅驱动功率损耗
    • 侧面可焊性封装

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    • 产品型号
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      STPOWER MOSFET Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

      Finder应用程序 ST
      STPOWER MOSFET Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STLD200N4F6AG

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3D model

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STLD200N4F6AG
NRND
PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling 汽车应用 Ecopack2

STLD200N4F6AG

Package:

PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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产品型号
Order from distributors
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供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
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NRND
EAR99 NEC Tape and Reel PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling - - CHINA

STLD200N4F6AG NRND

封装:
PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

产品型号:

STLD200N4F6AG

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tape and Reel

Operating Temperature (°C)

Min:

-

Max:

-

Country of Origin:

CHINA

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(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商