产品概述
描述
该器件是采用STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
-
所有功能
- 通过AEC-Q101认证
- 超低导通电阻
- 超低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 低栅驱动功率损耗
- 侧面可焊性封装
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STLD200N4F6AG
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符号
封装
3D模型
全部资源
| 资源标题 | 版本 | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 22 May 2017 | 22 May 2017 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| STLD200N4F6AG | NRND | PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling | 汽车应用 | Ecopack2 | |
STLD200N4F6AG
Package:
PowerFLAT 5x6 Dual Side CoolingMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STLD200N4F6AG | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | NRND | EAR99 | NEC | Tape and Reel | PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling | - | - | CHINA | | ||
STLD200N4F6AG NRND
封装:
PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
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