STN1HNK60

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N沟道600 V、7.3 Ohm典型值、1 A SuperMESH功率MOSFET,SOT-223封装

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  • These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs developed using the SuperMESH™ technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH™. In addition to a significant reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

    主要特性

    • Extremely high dv/dt capability
    • 100% avalanche tested
    • Gate charge minimized

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS12594
      N-channel 600 V, 7.3 Ω typ., 0.4 A SuperMESH™ Power MOSFETs in a SOT-223 and TO-92 packages
      1.0
      466.35 KB
      PDF
      DS12594

      N-channel 600 V, 7.3 Ω typ., 0.4 A SuperMESH™ Power MOSFETs in a SOT-223 and TO-92 packages

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      STN1HNK60 PSpice model (.lib) 1.0
      561 Byte(s)
      ZIP

      STN1HNK60 PSpice model (.lib)

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.1
      203.54 KB
      PDF
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STN1HNK60
批量生产
SOT-223 工业 Ecopack2

STN1HNK60

Package:

SOT-223

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

SOT-223

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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DIGIKEY WORLDWIDE 4003 1 马上订购
COMPEL EUROPE 52210 1 马上订购
RS COMPONENTS EUROPE 11480 10 马上订购
AVNET AMERICA 1293 0 马上订购
FUTURE WORLDWIDE 5548 1 马上订购
ARROW EUROPE 20000 0 马上订购
ARROW AMERICA 86000 4000 马上订购
MOUSER WORLDWIDE 7919 1 马上订购
Farnell Element14 EUROPE 14302 1 马上订购

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立即购买 SOT-223 Tape And Reel
批量生产
EAR99 CHINA

STN1HNK60

封装

SOT-223

包装类型

Tape And Reel

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...的经销商可用性STN1HNK60

代理商名称
地区 库存 最小订购量 第三方链接
DIGIKEY WORLDWIDE 4003 1 马上订购
COMPEL EUROPE 52210 1 马上订购
RS COMPONENTS EUROPE 11480 10 马上订购
AVNET AMERICA 1293 0 马上订购
FUTURE WORLDWIDE 5548 1 马上订购
ARROW EUROPE 20000 0 马上订购
ARROW AMERICA 86000 4000 马上订购
MOUSER WORLDWIDE 7919 1 马上订购
Farnell Element14 EUROPE 14302 1 马上订购

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代理商名称

DIGIKEY

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商