STN1NK80Z

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N沟道800 V、13 Ohm典型值、0.25 A有齐纳管保护的SuperMESH功率MOSFET,SOT-223封装

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  • The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products

    主要特性

    • Typical RDS(on) = 13 Ω
    • Extremely high dv/dt capability
    • ESD improved capability
    • 100% avalanche tested
    • New high voltage benchmark
    • Gate charge minimized

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS4318
      N-CHANNEL 800V - 13 Ohm- 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH TM MOSFET
      3.0
      601.04 KB
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      DS4318

      N-CHANNEL 800V - 13 Ohm- 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH TM MOSFET

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      STN1NK80Z PSpice model (.lib) 1.0
      975 Byte(s)
      ZIP

      STN1NK80Z PSpice model (.lib)

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STN1NK80Z
批量生产
SOT-223 工业 Ecopack2

STN1NK80Z

Package:

SOT-223

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

SOT-223

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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DIGIKEY WORLDWIDE 6552 1 马上订购
COMPEL EUROPE 33153 1 马上订购
RS COMPONENTS EUROPE 11500 10 马上订购
FUTURE WORLDWIDE 4000 4000 马上订购
ARROW EUROPE 128000 0 马上订购
ARROW AMERICA 116000 4000 马上订购
MOUSER WORLDWIDE 4037 1 马上订购
Farnell Element14 EUROPE 3240 1 马上订购

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EAR99 NEC Tape And Reel SOT-223 -55 150 CHINA

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

SOT-223

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-55

(最大值)

150

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商