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STN3P10F6

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P沟道100 V、0.136 Ohm典型值、3 A STripFET F6功率MOSFET，SOT-223封装

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This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

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      STPOWER MOSFET Finder

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      		 Finder Apps ST
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EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STN3P10F6

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STN3P10F6
批量生产
SOT-223 工业 Ecopack2

STN3P10F6

Package:

SOT-223

Material Declaration**:

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批量生产

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SOT-223

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。

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批量生产
EAR99 NEC Tape And Reel SOT-223 - - CHINA

STN3P10F6

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99
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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

SOT-223

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-

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商。