P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SOT-223 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    Key Features

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STN3P6F6 SOT-223 Tape And Reel
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Tape And Reel

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS9301
      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -3 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a SOT-223 package
      6.0
      589.6 KB
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      DS9301

      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -3 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a SOT-223 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
STN3P6F6
批量生产
SOT-223 工业 Ecopack2

STN3P6F6

Package:

SOT-223

Material Declaration**:

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批量生产

Package

SOT-223

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.