STN3P6F6

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P沟道-60 V、0.13 Ohm典型值、-3 A STripFET F6功率MOSFET,SOT-223封装

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS9301
      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -3 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a SOT-223 package
      6.0
      589.6 KB
      PDF
      DS9301

      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -3 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a SOT-223 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STN3P6F6
批量生产
SOT-223 工业 Ecopack2

STN3P6F6

Package:

SOT-223

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

SOT-223

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

SOT-223

Operating Temperature (°C)

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-

Budgetary Price (US$)* / Qty

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商