STN3P6F6

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P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SOT-223 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STN3P6F6 SOT-223 Tape And Reel
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      DS9301
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      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN4337

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STN3P6F6
批量生产
SOT-223 Industrial Ecopack2

STN3P6F6

Package:

SOT-223

Material Declaration**:

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SOT-223

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Industrial

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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