STO36N60M6

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新型MDmesh™M6技术融合了众所周知的MDmesh™系列中SuperJunction MOSFET的最新技术。意法半导体在其上一代MDmesh™器件技术基础上构建了新型M6工艺，不仅改进了R_DS(on) 密度，同时提升了开关特性，为实现更高的应用效率提供了友好的用户体验。

主要特性
-  减少开关损耗
- 与上一代相比，具有更低的面积值
- 低栅极输入电阻
- 经过100％雪崩测试
- 稳压保护
- 强爬电距离封装
-  分离驱动源极引脚使其具有出色的开关性能
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  ST MOSFET Finder ST MOSFET product finder application for Android and iOS
  
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产品规格
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  DS12120
  N-channel 600 V, 85 mΩ typ., 30 A, MDmesh™ M6 Power MOSFET in a TO‑LL HV package 2.0
  534.22 KB
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  DS12120
  
  N-channel 600 V, 85 mΩ typ., 30 A, MDmesh™ M6 Power MOSFET in a TO‑LL HV package
  
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	描述	版本	文档大小	操作
	DS12120 N-channel 600 V, 85 mΩ typ., 30 A, MDmesh™ M6 Power MOSFET in a TO‑LL HV package	2.0	534.22 KB	PDF

应用手册

描述	版本	文档大小	操作
AN4250 Fishbone diagram for power factor correction	1.1	772.32 KB	PDF
AN2842 Paralleling of power MOSFETs in PFC topology	1.4	896.91 KB	PDF
AN2344 Power MOSFET avalanche characteristics and ratings	1.3	880.04 KB	PDF
AN5318 Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies	1.0	1.09 MB	PDF
AN4337 The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters	1.1	347.01 KB	PDF

AN4250

Fishbone diagram for power factor correction

PDF

AN2842

Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

PDF

AN2344

Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

PDF

AN5318

Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies

PDF

AN4337

The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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技术文档

	描述	版本	文档大小	操作
	TN1156 Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products	1.0	657.71 KB	PDF

TN1156

Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

PDF

用户手册
- 描述版本文档大小操作
  
  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
  PDF
  
  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
  PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs	1.3	1.51 MB	PDF

硬件型号、CAD库及SVD

	描述	版本	文档大小	操作
	sto36n60m6 Pspice Model	1.0	5.3 KB	ZIP

出版刊物和宣传资料

宣传册
- 描述版本文档大小操作
  
  600 to 700 V MDmesh™ M6 High-voltage, SJ MOSFETs to boost the efficiency 1.0
  760.45 KB
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  600 to 700 V MDmesh™ M6 High-voltage, SJ MOSFETs to boost the efficiency
  
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	描述	版本	文档大小	操作
	600 to 700 V MDmesh™ M6 High-voltage, SJ MOSFETs to boost the efficiency	1.0	760.45 KB	PDF

产品型号	供货状态	封装	等级规格	符合RoHS级别	Material Declaration**
STO36N60M6	批量生产	TO-LL	工业	Ecopack2

STO36N60M6

Package:

TO-LL

Material Declaration**:

More Info

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.