STO36N60M6

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N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-LL package

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  • 新型MDmesh™M6技术融合了众所周知的MDmesh™系列中SuperJunction MOSFET的最新技术。 意法半导体在其上一代MDmesh™器件技术基础上构建了新型M6工艺, 不仅改进了RDS(on) 密度,同时提升了开关特性,为实现更高的应用效率提供了友好的用户体验。

    主要特性

    •  减少开关损耗
    • 与上一代相比,具有更低的面积值
    • 低栅极输入电阻
    • 经过100%雪崩测试
    • 稳压保护
    • 强爬电距离封装
    •  分离驱动源极引脚使其具有出色的开关性能

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      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
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      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN5318
      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies
      1.0
      1.09 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      sto36n60m6 Pspice Model 1.0
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      sto36n60m6 Pspice Model

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      600 to 700 V MDmesh™ M6 High-voltage, SJ MOSFETs to boost the efficiency 1.0
      760.45 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      600 to 700 V MDmesh™ M6 High-voltage, SJ MOSFETs to boost the efficiency

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TO-LL Industrial Ecopack2

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