STP100N10F7

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N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

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  • 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

    主要特性

    • 处于市面上最低的 RDS(on) 行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

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      N-channel 100 V, 6.8 mΩ typ., 80 A STripFET™ F7 Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO-220FP, I2PAK and TO-220 packages
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      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
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      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
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      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
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      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
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      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP100N10F7
批量生产
TO-220AB Industrial Ecopack2

STP100N10F7

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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Marketing Status

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Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持