STP105N3LL

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N-channel 30 V, 2.7 mOhm typ., 150 A STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STP105N3LL TO-220AB Tube
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EAR99 CHINA 1.58 立即购买 没有经销商,请联系我们的销售办事处

STP105N3LL

封装

TO-220AB

包装类型

Tube

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1.58

供货状态

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1.58

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS9382
      N-channel 30 V, 2.7 mΩ typ., 150 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in a TO-220 package
      3.0
      797.72 KB
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      DS9382

      N-channel 30 V, 2.7 mΩ typ., 150 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in a TO-220 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN1506
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      1.2
      139.23 KB
      PDF
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      Power MOSFET: Rg impact on applications
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      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application
      1.0
      4.8 MB
      PDF
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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      PDF
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    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP105N3LL
批量生产
TO-220AB Industrial Ecopack2

STP105N3LL

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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