产品概述
描述
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
-
所有功能
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STP105N3LL
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| STP105N3LL | 批量生产 | TO-220 | 工业 | Ecopack2 | |
STP105N3LL
Package:
TO-220Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STP105N3LL | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tube | TO-220 | - | - | CHINA | | ||
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
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