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STP105N3LL

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N沟道30 V、2.7 mOhm典型值、150 A STripFET H6功率MOSFET，TO-220封装

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This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

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      STPOWER MOSFET Finder

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      		 Finder Apps ST
      STPOWER MOSFET Finder

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      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STP105N3LL

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符号

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3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP105N3LL
批量生产
TO-220 工业 Ecopack2

STP105N3LL

Package:

TO-220

Material Declaration**:

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批量生产

Package

TO-220

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。

样片和购买

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封装
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批量生产
EAR99 NEC Tube TO-220 - - CHINA

STP105N3LL

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99
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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220

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-

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商。