STP10P6F6

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P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package

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  • These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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      DS8964
      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages
      5.0
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      DS8964

      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages

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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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      STP10P6F6 PSpice model 1.0
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      STP10P6F6 PSpice model

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP10P6F6
批量生产
TO-220AB Industrial Ecopack2

STP10P6F6

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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TO-220AB

Grade

Industrial

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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