STP10P6F6

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P沟道60 V、0.13 Ohm典型值、10 A STripFET F6功率MOSFET,TO-220封装

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  • These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

All tools & software

CAD/EDA Symbols, Footprints and Models

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP10P6F6
批量生产
TO-220AB 工业 Ecopack2

STP10P6F6

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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ECCN (US)
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包装类型
封装
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DIGIKEY WORLDWIDE 92 1 马上订购
AVNET AMERICA 909 0 马上订购
ARROW EUROPE 2498 0 马上订购
Newark Element14 AMERICA 45 0 马上订购
MOUSER WORLDWIDE 606 1 马上订购

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DIGIKEY

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WORLDWIDE 马上订购

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ARROW

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MOUSER

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DIGIKEY

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220AB

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

0.85 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商