P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package

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  • These devices are P-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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      DS8964
      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages
      5.0
      1.17 MB
      PDF
      DS8964

      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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      STP10P6F6 PSpice model 1.0
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      STP10P6F6 PSpice model

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
STP10P6F6
批量生产
TO-220AB 工业 Ecopack2

STP10P6F6

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

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Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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