STP110N10F7

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N沟道100 V、5.1 mOhm典型值、110 A STripFET F7功率MOSFET,TO-220封装

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  • 该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)

    主要特性

    • 超低导通电阻
    • 经过100%雪崩测试

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP110N10F7
批量生产
TO-220AB 工业 Ecopack2

STP110N10F7

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

样片和购买

产品型号
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从ST订购
供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
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最大值
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RS COMPONENTS EUROPE 1230 1 马上订购
Newark Element14 AMERICA 208 0 马上订购
MOUSER WORLDWIDE 822 1 马上订购

代理商库存报告日期: 2020-10-25

代理商名称

RS COMPONENTS

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Newark Element14

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MOUSER

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EAR99 NEC Tube TO-220AB - - CHINA 2.5 / 1k

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220AB

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

2.5 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商