N-channel 100 V, 5.1 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

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  • 该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。

    主要特性

    • 超低导通电阻
    • 经过100%雪崩测试

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      DS9416
      N-channel 100 V, 5.1 mΩ typ., 110 A, STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFETs in TO-220FP and TO-220 packages
      2.0
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      DS9416

      N-channel 100 V, 5.1 mΩ typ., 110 A, STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFETs in TO-220FP and TO-220 packages

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
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      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
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      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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      STP110N10F7 PSpice model 1.0
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      STP110N10F7 PSpice model

出版刊物和宣传资料

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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
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      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
      1.15 MB
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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
STP110N10F7
批量生产
TO-220AB 工业 Ecopack2

STP110N10F7

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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