STP120N4F6

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N沟道40 V、3.8 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET,TO-220封装

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产品概述

描述

This device is 40 V N-channel STripFET™ VI Power MOSFET based on the ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

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符号

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封装

3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP120N4F6
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TO-220 汽车应用 Ecopack2

STP120N4F6

Package:

TO-220

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

TO-220

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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批量生产
EAR99 NEC Tube TO-220 - - CHINA

STP120N4F6 批量生产

封装:
TO-220
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

产品型号:

STP120N4F6

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tube

Operating Temperature (°C)

Min:

-

Max:

-

Country of Origin:

CHINA

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