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STP13NM60N

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N沟道600 V、0.28 Ohm典型值、11 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，TO-220封装

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  • These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

    主要特性

    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ

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800 V MDmesh K5 MOSFETs
800 V MDmesh K5 MOSFETs

Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		DS6112
      N-channel 600 V, 0.28 Ω typ., 11 A MDmesh™ II Power MOSFET in TO-220FP, I²PAK, TO-220, IPAK, TO-247 packages       		5.1
      984.13 KB
      		PDF
      DS6112

      N-channel 600 V, 0.28 Ω typ., 11 A MDmesh™ II Power MOSFET in TO-220FP, I²PAK, TO-220, IPAK, TO-247 packages

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STP13NM60N PSpice model (.lib) 1.0
      1 KB
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      STP13NM60N PSpice model (.lib)

      ZIP

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.1
      203.54 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

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      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP13NM60N
批量生产
TO-220AB 工业 Ecopack2

STP13NM60N

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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批量生产

Package

TO-220AB

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Industrial

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DIGIKEY WORLDWIDE 1976 1 马上订购
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DIGIKEY WORLDWIDE 1976 1 马上订购
YOSUN ASIA/PACIFIC 1000 1000 马上订购
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