STP160N75F3

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N沟道75 V、3.5 mOhm典型值、120 A STripFET(TM) 功率MOSFET,TO-220封装

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This N-channel enhancement mode Power MOSFET is the latest refinement of ST’s STripFET™ process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.

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STMicroelectronics - STP160N75F3

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符号

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3D model

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP160N75F3
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TO-220 工业 Ecopack2

STP160N75F3

Package:

TO-220

Material Declaration**:

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批量生产

Package

TO-220

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Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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供货状态
ECCN (US)
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包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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代理商库存报告日期: 2021-07-26

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WORLDWIDE 马上订购

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STP160N75F3

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EAR99

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经销商的可用性STP160N75F3

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DIGIKEY WORLDWIDE 1583 1 马上订购

代理商库存报告日期: 2021-07-26

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DIGIKEY

库存

1583

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WORLDWIDE 马上订购

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

2.0419 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商