STP170N8F7

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N沟道80 V、0.003 Ohm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET,TO-220封装

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该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
  • All features

    • 处于市面上最低的 RDS(on)行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

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      STPOWER MOSFET Finder

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      STPOWER MOSFET Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

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STMicroelectronics - STP170N8F7

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP170N8F7
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TO-220AB 工业 Ecopack2

STP170N8F7

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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封装
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EAR99

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220AB

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

1.6632 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商