N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET with very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STP200N3LL TO-220AB Tube
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      DS11427
      N-channel 30 V, 2.15 mΩ typ., 120 A Power MOSFET in a TO-220 package
      2.0
      675.53 KB
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      DS11427

      N-channel 30 V, 2.15 mΩ typ., 120 A Power MOSFET in a TO-220 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN1506
      A motor drives system for wheelchair applications
      1.2
      139.23 KB
      PDF
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
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      AN4192
      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application
      1.0
      4.8 MB
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
STP200N3LL
批量生产
TO-220AB 工业 Ecopack2

STP200N3LL

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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