STP200N3LL - N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package - STMicroelectronics

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This device is an N-channel Power MOSFET with very low R_DS(on) in all packages.

主要特性
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
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  DS11427
  N-channel 30 V, 2.15 mΩ typ., 120 A Power MOSFET in a TO-220 package 2.0
  675.53 KB
  PDF
  
  DS11427
  
  N-channel 30 V, 2.15 mΩ typ., 120 A Power MOSFET in a TO-220 package
  
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应用手册

	描述	版本	文档大小	操作
	AN1506 A motor drives system for wheelchair applications	1.2	139.23 KB	PDF
	AN3267 Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance	1.2	1.13 MB	PDF
	AN4191 Power MOSFET: Rg impact on applications	1.2	1.45 MB	PDF
	AN4192 Power MOSFETs: best choice guide for VRM application	1.0	4.8 MB	PDF
	AN4337 The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters	1.1	347.01 KB	PDF

AN1506

A motor drives system for wheelchair applications

AN3267

Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

AN4191

Power MOSFET: Rg impact on applications

AN4192

Power MOSFETs: best choice guide for VRM application

AN4337

The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

用户手册
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  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
  PDF
  
  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
  PDF

产品型号	供货状态	封装	等级规格	符合RoHS级别	材料声明**
STP200N3LL	批量生产	TO-220AB	Industrial	Ecopack2	PDF XML

STP200N3LL

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系销售支持。