STP200N3LL

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N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET with very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STP200N3LL TO-220AB Tube
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      DS11427
      N-channel 30 V, 2.15 mΩ typ., 120 A Power MOSFET in a TO-220 package
      2.0
      675.53 KB
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      DS11427

      N-channel 30 V, 2.15 mΩ typ., 120 A Power MOSFET in a TO-220 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN1506
      A motor drives system for wheelchair applications
      1.2
      139.23 KB
      PDF
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4192
      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application
      1.0
      4.8 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
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      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

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      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP200N3LL
批量生产
TO-220AB Industrial Ecopack2

STP200N3LL

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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