产品概述
描述
这款N-沟道稳压保护功率MOSFETs采用ST革命性的耐雪崩、超高压SuperMESH™ 5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。-
所有功能
- 采用TO-220 封装，具有全球领先的 RDS(on)
- 全球出色的品质因数（FoM）
- 极低的栅极电荷
- 经过100％雪崩测试
- 稳压保护
精选 视频
Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ
Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages
All tools & software
全部资源
| Resource title | 版本 | Latest update |
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产品规格 (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 19 Sep 2016 | 19 Sep 2016 |
应用手册 (4)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.1 | 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | ||
| 1.4 | 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | ||
| 1.3 | 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | ||
| 1.1 | 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 |
技术文档 (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 13 Nov 2016 | 13 Nov 2016 |
用户手册 (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.3 | 21 Oct 2016 | 21 Oct 2016 |
宣传册 (5 of 6)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 24 Nov 2020 | 24 Nov 2020 | ||
| 1.0 | 22 Feb 2021 | 22 Feb 2021 | ||
| 1.0 | 08 Jan 2021 | 08 Jan 2021 | ||
| 1.0 | 06 Oct 2020 | 06 Oct 2020 | ||
| 1.0 | 08 May 2020 | 08 May 2020 | ||
| 1.0 | 05 Jul 2021 | 05 Jul 2021 |
手册 (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.1 | 03 Jun 2021 | 03 Jun 2021 |
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STP2N95K5
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符号
封装
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样片和购买
| 产品型号 | 从分销商订购 | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STP2N95K5 | 2 distributors | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tube | TO-220 | - | - | CHINA | |||
供货状态
批量生产ECCN (US)
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