产品概述
描述
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。-
所有功能
- 处于市面上最低的RDS(on) 行列
- 出色的品质因数(FoM)
- 较低的Crss /Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
- 坚固的抗雪崩能力
精选 视频
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产品规格 (1)
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08 Feb 2016 | 08 Feb 2016 |
应用手册 (5)
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13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
19 Mar 2021 | 19 Mar 2021 | |||
07 Jan 2019 | 07 Jan 2019 | |||
17 Mar 2021 | 17 Mar 2021 | |||
13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 |
用户手册 (1)
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21 Oct 2016 | 21 Oct 2016 |
宣传册 (5)
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22 Feb 2021 | 22 Feb 2021 | |||
26 Mar 2021 | 26 Mar 2021 | |||
25 Sep 2019 | 25 Sep 2019 | |||
08 May 2020 | 08 May 2020 | |||
13 Jun 2019 | 13 Jun 2019 |
手册 (1)
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23 Mar 2020 | 23 Mar 2020 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
样片和购买
产品型号 | 从分销商订购 | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度(ºC) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小值 | 最大值 | |||||||||||
STP30N10F7 | 1 distributors | Free Sample Buy Direct | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tube | TO-220 | - | - | CHINA |