产品概述
描述
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
-
所有功能
- 超低导通电阻
- 经过100％雪崩测试
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EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STP310N10F7
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符号
封装
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全部资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 3.0 | 13 Jan 2016 | 13 Jan 2016 |
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 封装 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 温度（ºC） | Operating Temperature (°C) (min) | ||
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| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STP310N10F7 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | TO-220 | Tube | CHINA | EAR99 | NEC | - | - | - | |||
STP310N10F7 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
封装:
TO-220
包装类型:
Tube
RoHS:
-
Country of Origin:
CHINA
ECCN (US):
EAR99
ECCN (EU):
NEC
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