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STP36N55M5

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N沟道550 V、0.06 Ohm典型值、33 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-220封装

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These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

主要特性
- Worldwide best R_{DS(on) * area}
- Higher V_DSSrating and high dv/dt capability
- Excellent switching performance
- 100% avalanche tested
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查找器App

产品型号	状态	描述	类型	供应商
STPOWER MOSFET Finder	批量生产	用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用	查找器App	ST

STPOWER MOSFET Finder

描述:

用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

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产品规格 (1)

	Resource title		Latest update
PDF	DS8935 N-channel 550 V, 0.06 Ω typ., 33 A MDmesh™ V Power MOSFET in TO-220 and TO-247 packages 2.1		25 Sep 2020	25 Sep 2020 DS8935 N-channel 550 V, 0.06 Ω typ., 33 A MDmesh™ V Power MOSFET in TO-220 and TO-247 packages 2.1

应用手册 (5)

	Resource title	Latest update
PDF	AN4250 Fishbone diagram for power factor correction 1.1	13 Sep 2018	13 Sep 2018 AN4250 Fishbone diagram for power factor correction 1.1
PDF	AN4829 Fishbone diagrams for a forward converter 1.1	13 Sep 2018	13 Sep 2018 AN4829 Fishbone diagrams for a forward converter 1.1
PDF	AN2842 Paralleling of power MOSFETs in PFC topology 1.4	13 Sep 2018	13 Sep 2018 AN2842 Paralleling of power MOSFETs in PFC topology 1.4
PDF	AN2344 Power MOSFET avalanche characteristics and ratings 1.3	13 Sep 2018	13 Sep 2018 AN2344 Power MOSFET avalanche characteristics and ratings 1.3
PDF	AN4337 The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters 1.1	13 Sep 2018	13 Sep 2018 AN4337 The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters 1.1

技术文档 (1)

	Resource title		Latest update
PDF	TN1156 Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products 1.0		13 Nov 2016	13 Nov 2016 TN1156 Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products 1.0

用户手册 (1)

	Resource title		Latest update
PDF	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3		21 Oct 2016	21 Oct 2016 UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3

宣传册 (3)

	Resource title	Latest update
PDF	300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0	22 Jan 2020	22 Jan 2020 300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
PDF	400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.1	05 Jun 2020	05 Jun 2020 400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.1
PDF	ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0	08 May 2020	08 May 2020 ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0

手册 (1)

	Resource title		Latest update
PDF	Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1		23 Mar 2020	23 Mar 2020 Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1

CAD/EDA Symbols, Footprints and Models

质量与可靠性

产品型号	Marketing Status	封装	等级规格	符合RoHS级别	材料声明**
STP36N55M5	NRND	TO-220AB	工业	Ecopack2

STP36N55M5

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

More Info

Marketing Status

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系销售支持。

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ECCN (US)

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封装

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最大值

STP36N55M5

Available at 6 distributors

...的经销商可用性STP36N55M5

代理商名称	地区	库存	最小订购量	第三方链接
DIGIKEY	WORLDWIDE	255	1	马上订购
RS COMPONENTS	EUROPE	387	1	马上订购
ARROW	EUROPE	1000	0	马上订购
Newark Element14	AMERICA	250	0	马上订购
ARROW	AMERICA	41	1000	马上订购
Farnell Element14	EUROPE	227	1	马上订购

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代理商名称

DIGIKEY

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WORLDWIDE 马上订购

RS COMPONENTS

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387

Min.Order

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EUROPE 马上订购

ARROW

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1000

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EUROPE 马上订购

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AMERICA 马上订购

ARROW

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Min.Order

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AMERICA 马上订购

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Tube

TO-220AB

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代理商名称

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220AB

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(最大值)

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处或我们的经销商。

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