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STP3N150

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N沟道1500 V、6 Ohm典型值、2.5 A PowerMESH(TM) 功率MOSFET，TO-220封装

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  • These Power MOSFETs are designed using the STMicroelectronics consolidated strip-layout-based MESH OVERLAY process. The result is a product that matches or improves on the performance of comparable standard parts from other manufacturers.

    主要特性

    • 100% avalanche tested
    • Intrinsic capacitances and Qg minimized
    • High speed switching
    • Fully isolated TO-3PF plastic package, creepage distance path is 5.4 mm (typ.)
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ

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800 V MDmesh K5 MOSFETs
800 V MDmesh K5 MOSFETs

Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		DS5052
      N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 Ω typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packages       		12.0
      672.53 KB
      		PDF
      DS5052

      N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 Ω typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packages

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN2936
      10 W SMPS with HV power MOSFET and the L6565 for three-phase industrial applications       		1.1
      301.41 KB
      		PDF
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN2936

      10 W SMPS with HV power MOSFET and the L6565 for three-phase industrial applications

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      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STP3N150 PSpice model (.lib) 1.0
      967 Byte(s)
      		ZIP

      STP3N150 PSpice model (.lib)

      ZIP

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		Products and solutions for solar energy 1.0
      1.29 MB
      		PDF

      Products and solutions for solar energy

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP3N150
批量生产
TO-220AB 工业 Ecopack2

STP3N150

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

样片和购买

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COMPEL EUROPE 264 1 马上订购
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ARROW EUROPE 2110 0 马上订购
MOUSER WORLDWIDE 980 1 马上订购
Farnell Element14 EUROPE 212 1 马上订购
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立即购买 TO-220AB Tube
批量生产
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封装

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代理商名称
地区 库存 最小订购量 第三方链接
COMPEL EUROPE 264 1 马上订购
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代理商名称

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EUROPE 马上订购

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CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商 。