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N沟道900 V、4.1 Ohm典型值、3 A SuperMESH功率MOSFET，TO-220封装

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  • These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs developed using the SuperMESH™ technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH™. In addition to a significant reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

    主要特性

    • Extremely high dv/dt capability
    • 100% avalanche tested
    • Gate charge minimized
    • Very low intrinsic capacitance
    • Zener-protected
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ

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800 V MDmesh K5 MOSFETs
800 V MDmesh K5 MOSFETs

Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		DS2980
      N-channel 900 V, 3.6 Ω typ., 3 A SuperMESH™ Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and TO-220FP packages       		3.0
      558.9 KB
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      DS2980

      N-channel 900 V, 3.6 Ω typ., 3 A SuperMESH™ Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and TO-220FP packages

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
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      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

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      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP3NK90Z
批量生产
TO-220AB 工业 Ecopack2

STP3NK90Z

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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批量生产

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TO-220AB

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Industrial

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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Tube
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CHINA

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