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This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters.

主要特性
- Gate charge minimized
- Very good manufacturing repeatability
- Very low intrinsic capacitances
- 100% avalanche tested
- Excellent figure of merit (R_DS*Q_g)
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产品规格
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  DS5083
  N-channel 200V - 0.038 Ohm -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 - Low gate charge STripFET™ Power MOSFET 2.2
  477.55 KB
  PDF
  
  DS5083
  
  N-channel 200V - 0.038 Ohm -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 - Low gate charge STripFET™ Power MOSFET
  
  PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	DS5083 N-channel 200V - 0.038 Ohm -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 - Low gate charge STripFET™ Power MOSFET	2.2	477.55 KB	PDF

应用手册

描述	版本	文档大小	操作
AN3267 Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance	1.2	1.13 MB	PDF
AN4191 Power MOSFET: Rg impact on applications	1.2	1.45 MB	PDF
AN4390 ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies	1.1	1.22 MB	PDF
AN4337 The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters	1.1	347.01 KB	PDF

AN3267

Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

PDF

AN4191

Power MOSFET: Rg impact on applications

PDF

AN4390

ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

PDF

AN4337

The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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用户手册
- 描述版本文档大小操作
  
  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
  PDF
  
  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
  PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs	1.3	1.51 MB	PDF

硬件型号、CAD库及SVD

	描述	版本	文档大小	操作
	STP40NF20 PSpice model	1.0	9.84 KB	ZIP

出版刊物和宣传资料

宣传册

描述	版本	文档大小	操作
300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions	1.0	568.16 KB	PDF
AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive	1.0	743.73 KB	PDF
STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications	1.0	1.15 MB	PDF