STP410N4F7AG

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Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 180 A STripFET F7 in a TO-220 package

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  • This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主要特性

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent FoM (figure of merit)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

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      DS11667
      Automotive-grade N-channel 40 V, 1.5 mΩ typ., 180 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a TO-220 package
      1.0
      671.17 KB
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      DS11667

      Automotive-grade N-channel 40 V, 1.5 mΩ typ., 180 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a TO-220 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN1506
      A motor drives system for wheelchair applications
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      139.23 KB
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      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application
      1.0
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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP410N4F7AG
批量生产
TO-220AB Automotive Ecopack1

STP410N4F7AG

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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