STP43N60DM2

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N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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  • This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge and time (Qrr, trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主要特性

    • Fast-recovery body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Low on-resistance RDS(on)
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected

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STP43N60DM2 TO-220AB Tube
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      DS10533
      N-channel 600 V, 0.085 Ω typ., 34 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
      5.0
      410.04 KB
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      DS10533

      N-channel 600 V, 0.085 Ω typ., 34 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a TO-220 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN4720
      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection
      1.0
      1.4 MB
      PDF
      AN5427
      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode
      1.0
      834.68 KB
      PDF
      AN2626
      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter
      1.4
      446.79 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection

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      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode

      AN2626

      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter

      AN2842

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      STP43N60DM2 PSpice model 1.0
      10.96 KB
      ZIP

      STP43N60DM2 PSpice model

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      400/650 V MDmesh DM2: STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.0
      643.03 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      400/650 V MDmesh DM2: STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP43N60DM2
批量生产
TO-220AB Industrial Ecopack2

STP43N60DM2

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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