STP4N150

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N沟道1500 V、5 Ohm、4 A PowerMESH(TM) 功率MOSFET,TO-220封装

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  • Using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of very high voltage Power MOSFETs with outstanding performances.

    The strengthened layout coupled with the company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics.

    主要特性

    • 100% avalanche tested
    • High speed switching
    • Intrinsic capacitances and Qg minimized
    • Creepage distance path is 5.4 mm (typ.) for TO-3PF
    • Fully isolated TO-3PF plastic packages

All tools & software

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - STP4N150

Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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TO-220AB 工业 Ecopack2

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Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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ECCN (US)
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封装
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COMPEL EUROPE 141 1 马上订购
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ARROW EUROPE 1456 0 马上订购
Newark Element14 AMERICA 1532 0 马上订购
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EAR99 NEC Tube TO-220AB -55 150 CHINA

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220AB

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-55

(最大值)

150

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商