STP4NK60Z

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N沟道600 V、1.7 Ohm典型值、4 A SuperMESH功率MOSFET,TO-220封装

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  • These devices are N-channel Zener-protected Power MOSFETs developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

    主要特性

    • 100% avalanche tested
    • Very low intrinsic capacitances
    • Zener-protected

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS9834
      N-channel 600 V, 1.7 Ω typ., 4 A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFETs in TO-220 and TO-220FP packages
      2.0
      701.33 KB
      PDF
      DS9834

      N-channel 600 V, 1.7 Ω typ., 4 A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFETs in TO-220 and TO-220FP packages

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
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      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      STP4NK60Z PSpice model (.lib) 1.0
      560 Byte(s)
      ZIP

      STP4NK60Z PSpice model (.lib)

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.1
      203.54 KB
      PDF
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP4NK60Z
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TO-220AB 工业 Ecopack2

STP4NK60Z

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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DIGIKEY WORLDWIDE 1345 1 马上订购
RS COMPONENTS EUROPE 388 5 马上订购
ARROW EUROPE 4100 0 马上订购
MOUSER WORLDWIDE 1852 1 马上订购
Farnell Element14 EUROPE 955 1 马上订购
ANGLIA Live EUROPE 2150 50 马上订购
RUTRONIK EUROPE 2700 50 马上订购

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EAR99 NEC Tube TO-220AB -55 150 CHINA

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220AB

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-55

(最大值)

150

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商