STP52P3LLH6

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P沟道30 V、0.01 Ohm典型值、52 A STripFET H6功率MOSFET,TO-220封装

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche
    • Low gate drive power loss

All tools & software

CAD/EDA Symbols, Footprints and Models

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP52P3LLH6
批量生产
TO-220AB 工业 Ecopack2

STP52P3LLH6

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

样片和购买

产品型号
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从ST订购
供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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代理商名称

MOUSER

库存

1997

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1

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WORLDWIDE 马上订购

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STP52P3LLH6

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99

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MOUSER WORLDWIDE 1997 1 马上订购

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代理商名称

MOUSER

库存

1997

Min.Order

1

地区

WORLDWIDE 马上订购

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220AB

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

1.5 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商