STP57N65M5

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N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220 package

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  • These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

    主要特性

    • Worldwide best RDS(on)*area amongst the silicon based devices
    • Higher VDSSrating, high dv/dt capability
    • Excellent switching performance
    • Easy to drive, 100% avalanche tested

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STP57N65M5 TO-220AB Tube
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DIGIKEY WORLDWIDE 35 1 马上订购
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ARROW EUROPE 1000 0 马上订购
ARROW AMERICA 19650 1000 马上订购
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      DS8913
      N-channel 650 V, 0.056 Ω typ., 42 A MDmesh™ V Power MOSFET in I²PAK, TO-220, TO-220FP and D²PAK packages
      4.1
      1.33 MB
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      DS8913

      N-channel 650 V, 0.056 Ω typ., 42 A MDmesh™ V Power MOSFET in I²PAK, TO-220, TO-220FP and D²PAK packages

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN4829
      Fishbone diagrams for a forward converter
      1.1
      1.35 MB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      AN4250

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      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      STP57N65M5 PSpice model 1.0
      9.79 KB
      ZIP

      STP57N65M5 PSpice model

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP57N65M5
批量生产
TO-220AB Industrial Ecopack2

STP57N65M5

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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