STP5NK100Z

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N沟道1000V - 3 Ohm - 3.5A - TO-220有齐纳管保护的SUPERMESH MOSFET

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  • The new SuperMESH™ series of Power MOSFETS is the result of further design improvements on ST's well-established stripbased PowerMESH™ layout. In addition to significantly lower on-resistance, the device offers superior dv/dt capability to ensure optimal performance even in the most demanding applications. The SuperMESH™ devices further complement an already broad range of innovative high voltage MOSFETs, which includes the revolutionary MDmesh™ products.

    主要特性

    • Extremely high dv/dt capability
    • Gate charge minimized
    • 100% avalanche tested
    • Very good manufacturing repeatibility
    • Very low intrinsic capacitances

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS4032
      N-channel 1000 V, 2.7 Ω, 3.5 A, TO-220, TO-220FP, TO-247 SuperMESH3™ Power MOSFET
      5.2
      453.79 KB
      PDF
      DS4032

      N-channel 1000 V, 2.7 Ω, 3.5 A, TO-220, TO-220FP, TO-247 SuperMESH3™ Power MOSFET

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      STP5NK100Z PSpice model (.lib) 1.0
      587 Byte(s)
      ZIP

      STP5NK100Z PSpice model (.lib)

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP5NK100Z
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TO-220AB 工业 Ecopack2

STP5NK100Z

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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Package

TO-220AB

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Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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ECCN (US)
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DIGIKEY WORLDWIDE 4668 1 马上订购
COMPEL EUROPE 235 1 马上订购
RS COMPONENTS EUROPE 1244 2 马上订购
AVNET AMERICA 4819 0 马上订购
ARROW EUROPE 25754 0 马上订购
Newark Element14 AMERICA 284 0 马上订购
ARROW AMERICA 990 1000 马上订购
P&S ASIA/PACIFIC 10 1 马上订购
MOUSER WORLDWIDE 1843 1 马上订购
Farnell Element14 EUROPE 2420 1 马上订购
ANGLIA Live EUROPE 4188 1 马上订购
RUTRONIK EUROPE 700 50 马上订购

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EAR99 NEC Tube TO-220AB -55 150 CHINA

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220AB

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-55

(最大值)

150

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商