STP65N045M9

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N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-220 package

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产品概述

描述

该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术,适合中/高电压MOSFET(具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on))。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺,支持增强型器件结构。在所有硅基快速开关超结Power MOSFET中,运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值,使其特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。

  • 所有功能

    • 全球硅基器件中出色的FOM RDS(on)*Qg
    • 更高的VDSS额定值
    • 更高的dv/dt性能
    • 出色的开关性能
    • 易于驱动
    • 经过100%雪崩测试

All tools & software

    • 产品型号
      状态
      描述
      类型
      供应商

      STPOWER MOSFET Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

      Finder应用程序 ST
      STPOWER MOSFET Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STP65N045M9

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Symbols

符号

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3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP65N045M9
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TO-220 工业 Ecopack2

STP65N045M9

Package:

TO-220

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

TO-220

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tube TO-220 - - CHINA

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封装:
TO-220
ECCN (US):
EAR99
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STP65N045M9

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tube

Operating Temperature (°C)

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Country of Origin:

CHINA

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