N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

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  • 该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)

    主要特性

    • 极低的栅极电荷
    • 超低导通电阻
    • 低栅极输入电阻

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      DS10162
      N-channel 100 V, 0.008 Ω typ., 80 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, H2PAK-2 and TO-220
      1.0
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      DS10162

      N-channel 100 V, 0.008 Ω typ., 80 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, H2PAK-2 and TO-220

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
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      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
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      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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出版刊物和宣传资料

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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      776.14 KB
      PDF
      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
      1.15 MB
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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP80N10F7
Active
TO-220AB 工业 Ecopack2

STP80N10F7

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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Active

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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