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STP80N6F6

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汽车级N沟道60 V、4.4 mOhm典型值、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，TO-220封装

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产品概述

描述

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

  • 所有功能

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Low gate charge
    • Very low on-resistance
    • High avalanche ruggedness
    阅读更多 阅读较少信息

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    • 产品型号
      		状态
      		描述
      		类型
      		供应商

      STPOWER MOSFET Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

      		 Finder Apps ST
      STPOWER MOSFET Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STP80N6F6

为您的应用下载所有EDA符号、封装和3D模型，加快您的设计速度。您可以从大量CAD格式中进行选择，以匹配您的设计工具链。

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符号

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3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP80N6F6
批量生产
TO-220 汽车应用 Ecopack2 (**)

STP80N6F6

Package:

TO-220

Material Declaration**:

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批量生产

Package

TO-220

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2 (**)

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。

样片和购买

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从分销商订购
从ST订购
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ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度（ºC） Country of Origin
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最大值
STP80N6F6 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
批量生产
EAR99 NEC Tube TO-220 - - CHINA

STP80N6F6

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99
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Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-220

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(最小值)

-

(最大值)

-

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商。