STP85N3LH5

NRND

N-channel 30 V, 0.0042 Ohm , 80 A, TO-220; Power MOSFETs

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  • This product utilizes the 5th generation of design rules of ST’s proprietary STripFETTMtechnology. The lowest available RDS(on)*Qg, in the standard packages, makes this device suitable for the most demanding DC-DC converter applications, where high power density is to be achieved.

    主要特性

    • RDS(on)* Qgindustry benchmark
    • Extremely low on-resistance RDS(on)
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power losses

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STP85N3LH5 TO-220AB Tube
NRND
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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS5431
      N-channel 30 V, 0.0042 Ω , 80 A, DPAK, TO-220, IPAK STripFET™ V Power MOSFET
      7.1
      809.16 KB
      PDF
      DS5431

      N-channel 30 V, 0.0042 Ω , 80 A, DPAK, TO-220, IPAK STripFET™ V Power MOSFET

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN1506
      A motor drives system for wheelchair applications
      1.2
      139.23 KB
      PDF
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
      PDF
      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4192
      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application
      1.0
      4.8 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
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      AN4337

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP85N3LH5
NRND
TO-220AB Industrial Ecopack2

STP85N3LH5

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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Marketing Status

NRND

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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