STP85N3LH5

NRND
Design Win

N沟道30 V、0.0042 Ohm、80 A、TO-220功率MOSFET

下载数据手册
概述
样片和购买
解决方案
文件
CAD资源
工具与软件
质量与可靠性
开始
Partner products
Sales Briefcase

产品概述

描述

This product utilizes the 5th generation of design rules of ST’s proprietary STripFETTMtechnology. The lowest available RDS(on)*Qg, in the standard packages, makes this device suitable for the most demanding DC-DC converter applications, where high power density is to be achieved.
  • 所有功能

    • RDS(on)* Qgindustry benchmark
    • Extremely low on-resistance RDS(on)
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power losses

All tools & software

    • 产品型号
      状态
      描述
      类型
      供应商

      STPOWER MOSFET Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

      Finder应用程序 ST
      STPOWER MOSFET Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STP85N3LH5

为您的应用下载所有EDA符号、封装和3D模型,加快您的设计速度。您可以从大量CAD格式中进行选择,以匹配您的设计工具链。

Symbols

符号

Footprints

封装

3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP85N3LH5
NRND
TO-220 工业 Ecopack2

STP85N3LH5

Package:

TO-220

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

TO-220

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

样片和购买

Swipe or click the button to explore more details Don't show this again
产品型号
Order from distributors
从ST订购
供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
最小值
最大值
STP85N3LH5 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处
NRND
EAR99 NEC Tube TO-220 - - CHINA

STP85N3LH5 NRND

封装:
TO-220
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

产品型号:

STP85N3LH5

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tube

Operating Temperature (°C)

Min:

-

Max:

-

Country of Origin:

CHINA

无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处
Swipe or click the button to explore more details Don't show this again

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商