STPOWER氮化镓晶体管

STPower GaN 氮化镓晶体管是基于氮化镓（GaN）的高效晶体管产品。氮化镓是一种新型宽禁带化合物，其在功率转换解决方案中提供更多优势，包括更高的效率和功率密度。

电源电子领域如今面临的主要挑战是应对提高效率和功率性能方面日益增长的需求，同时不断追求降低成本和尺寸。

引入氮化镓（GaN）技术就是朝着这一方向迈出的一步，随着商业化程度不断提高，其在功率转换应用中的应用将越来越广泛。 

与硅基晶体管相比，氮化镓功率晶体管具有更出色的品质因数（FoM）、导通电阻（RDS(on)）和总栅电荷（QG），提供高漏源电压能力、零反向恢复电荷（在共源共栅器件中可以忽略）和极低的本征电容。作为可以提高功率转换应用效率的领先解决方案，GaN技术以更高的功率密度使其能够满足最严格的能源需要，能够在更高的频率下工作，从而缩减系统尺寸。STPOWER GaN晶体管代表了工业和汽车应用领域在效率和高频解决方案方向的真正突破。

GaN晶体管的优点

更高效率	更高功率密度	重塑功率
更环保	尺寸更小的产品	更智能的设计

阵容不断壮大的GaN晶体管产品系列

意法半导体的产品组合包括3种不同的PowerGaN产品类型：

• GaN增强模式晶体管
  这些正常处于关闭状态的p-GaN栅极增强模式晶体管提供零反向恢复电荷，非常适合超高频率应用。意法半导体的G-HEMT™系列提供650V和100V漏源电压额定值可选。探索我们的G-HEMT™ 650 VGaN HEMT产品组合。 
• 意法半导体的GaN FET
  采用低压MOSFET和自然“关闭”封装器件的级联 GaN 芯片，其优势在于使用为MOSFET器件设计的标准栅极驱动器。我们的G-FET™器件提供650 V及900 V漏源电压额定值。
• 采用嵌入式栅极驱动器的GaN开关
  意法半导体的G-DRIVE™是一款 650V SiP，易于使用，充分利用 GaN 的超快速性能，集成了驱动器和安全功能，降低了设计复杂性和 BOM 成本。