CATEGORIES

STPOWER氮化镓晶体管

STPOWER GaN晶体管是基于氮化镓 (GaN) 的高效晶体管,而氮化镓是一种新型宽带隙化合物,为功率转换解决方案带来了极高的附加值。

如今开发电子电力器件的难度极大,既要不断提升效率和功率性能,同时又要不断降低成本和缩减尺寸。

采用氮化镓 (GaN) 技术有助于实现上述目标,随着该项技术商用步伐的加快,在功率转换应用中也获得了广泛运用。 

与硅基晶体管相比,氮化镓功率晶体管在品质因数 (FoM)、导通电阻 (RDS(on)) 和总栅电荷 (QG) 方面的表现更出色,提供高漏源电压能力、零反向恢复电荷(在共源共栅器件中可以忽略)和极低的本征电容。先进的GaN技术解决方案可以提高功率转换效率,在满足极其严格的能源要求的同时实现更高的功率密度,它的工作频率更高,器件外观更为紧凑。STPOWER GaN晶体管是工业和汽车应用中高效率和高频率解决方案的核心。

GaN晶体管的优点

更高效 更高的功率密度 重塑功率
更环保 尺寸更小 更智能的设计

 

 

意法半导体的PowerGaN增强模式晶体管产品组合

  • GaN增强模式晶体管
    这些正常处于关闭状态的p-GaN栅极增强模式晶体管提供零反向恢复电荷,非常适合超高频率应用。意法半导体的G-HEMT™系列提供650V100V漏源电压额定值。浏览我们的G-HEMT™ 650 VGaN HEMT产品组合。 
More from STPOWER氮化镓晶体管 portfolio