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意法半导体击穿电压范围为12 V ~ 30 V的STripFET低压MOSFET提供了超低栅极电荷和低至1.1 mΩ(30 V)的低导通电阻,采用PowerFLAT 5x6封装。对它们进行了优化,从而满足了负载点(PoL)、VRM、主板、笔记本电脑、便携式和超便携式电器、线性调节器、同步整流和汽车应用的各种要求。

在该额定电压下,具有如下主要特性:

  • 超低的RDS(on),增强了应用的效率
  • 广泛的封装选项,包括面向小型设计的SMD PowerFLAT封装和面向大功率设计的H2PAK封装
  • 标准、逻辑和超逻辑级阈值,增强了设计的灵活性

这些低压功率MOSFET提供了多种小型和大功率封装选项:DPAK、D2PAK、H2PAK、IPAK、I2PAK、PowerSO10、SO-8、SOT-223、TO-220和PowerFLAT(2x2、3.3x3.3、5x6、5x6双岛和5x6共漏极)。