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N-沟道 (>30V 至 350V)

STripFET低压功率MOSFET可在众多应用中实现高端性能,而最新推出的F8系列则可为工业和汽车系统提供出色的开关和传导特性。
意法半导体的STripFET产品提供尺寸小巧的SMD封装和标准的通孔式封装并采用了第三代沟槽技术,其电压范围可从30 V延伸到200 V;在经过优化之后,该产品可有效减少电磁干扰 (EMI) 噪声并提升总体电源效率。

  • 通过控制电压峰值提高通信速度
  • 提升针对有害寄生导通的抗扰度
  • 改善输出电压过冲的内置过滤效果
  • 降低导通损耗

应用:

STripFET MOSFET可为汽车生态系统带来巨大的性能优势,其中包括汽车电机控制应用、车身与便利性应用、底盘和安全性应用以及尤其注重汽车电气化的电动汽车应用。

此外,意法半导体的低压MOSFET也是通信设备、计算机和外设、工业电机控制以及个人电子产品的理想选择。

产品类型:

STripFET N沟道功率MOSFET提供了以下封装选项:DPAK、D2PAK、H2PAK、SOT-223、TO-220、TO-220FP、PowerFLAT 2x2、3.3x3.3和5x6。该产品采用PowerFLAT 5x6封装,提供了低栅极电荷和低至0.75 mΩ(40 V时)的低导通电阻。

了解我们的产品组合

优势

  • 拥有丰富的封装选择,其中包括标准和全系列的SMD和通孔式封装、不同的无引线PowerFLAT选项以及大电流H2PAK解决方案
  • 更出色的反向体二极管性能
  • 瞬态阶段对密勒效应的灵敏度降低
  • 经过优化的栅极电荷可实现高换向速度
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