N-沟道 (>30V 至 350V)

意法半导体击穿电压范围为33 V ~ 350 V的STripFET N沟道MOSFET提供了超低栅极电荷和低至1.1 mΩ（40 V）的低导通电阻，采用PowerFLAT 5x6封装。这些功率MOSFET属于STPOWER系列。

N沟道MOSFET产品设计用于满足同步整流、UPS、电机控制、开关模式电源、以太网供电（PoE）、逆变器和汽车应用的各种要求。

STripFET N沟道功率MOSFET提供了多种小型和大功率封装选项：DPAK、D2PAK、ISOTOP、Max247、SOT-223、TO-220、TO-220FP、TO-247、PowerFLAT 5x6和3.3x3.3。

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。