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N-沟道 (350V 至 700V)

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意法半导体MDmesh超结(SJ)MOSFET的击穿电压范围为400 V至650 V,采用MAX-247封装,可提供低至15 mΩ(650 V)的极低导通电阻(RDS(ON))。此类N沟道SJ MOSFET属于STPOWER系列。

ST power标志

STPOWER MOSFET标准系列

根据目标电路拓扑和应用,可提供不同的专用产品系列。技术的多功能性和灵活性使得系统设计人员既可以选择以往的系列(M2M5M6),也可以选择最新的M9系列,其中M9系列既适用于热切换拓扑又适用于谐振拓扑,已被广泛应用于高功率密度的系统中。

M2
超结功率MOSFET在R DS(on)和电容曲线之间实现最佳折中,适用于软开关拓扑。
M5
超结功率MOSFET具有卓越的R DS(on)值,可显著提高系统效率,如电信服务器和太阳能逆变器中的高功率PFC电路。
M6
意法半导体全新的超结技术针对谐振拓扑进行了优化,适用于高功率应用。
M9
超结功率MOSFET拥有行业内最佳的单位面积导通电阻之一,显著降低了服务器、数据中心、5G电站、基于PFC的微型逆变器和谐振DC-DC转换器拓扑中的总功率损耗。该系列适用于工业和汽车市场。

STPOWER MOSFET快速恢复体二极管系列

此外,MDmesh系列还包括带有快速恢复本征二极管的版本(DM2DM6DM9)。由于在标准流程上增加了铂扩散过程,整个体二极管的性能得以提升,减少了反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr,并改善了dv/dt(DMx系列),所有这些特点都是桥式和大功率相移电路的理想选择。

DM2
快速恢复二极管MOSFET是全桥相移ZVS拓扑的良好选择。该系列还包含面向汽车应用经AEC-Q101认证的400 V、500 V、600 V和650 V器件。
DM6
快速恢复超结MOSFET,具有极好的单位面积R DS(on),已针对全桥相移ZVS拓扑进行了优化。该系列还包括经AEC-Q101认证的600V和650V器件,适用于汽车应用。
DM9
快速恢复超结MOSFET,拥有行业内最佳单位面积导通电阻之一并具有极低的Q g、Q rr和t rr,专为全桥和全桥相移ZVS拓扑而设计。该系列还包含面向汽车应用经AEC-Q101认证的600 V和650 V器件,具有较软的换向特性,适合超高效系统。

此类MDmesh SJ功率MOSFET具有以下微型和大功率封装:HU3PAK、DPAK、IPAK、D2PAK、H2PAK、I2PAK、MAX-247、ISOTOP、SOT-223、SOT223-2L、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO-247长引线版、TO-247-4、TO-3PF、TO-LL和PowerFLAT系列(3.3 x 3.3 mm、5 x 5 mm、5 x 6 mm HV和8 x 8 mm HV)。

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用找到正确的解决方案,具有很长的使用寿命。

意法半导体功率MOSFET 350 V至700 V产品组合 M2 M6 M5 M9 DM2 DM6 DM9

New 650 V MDmesh M2 power MOSFETs

The M2 series of super-junction (SJ) MOSFETs has been extended with the introduction of 650 V devices ensuring a higher safety margin for more robust and reliable applications. The low on-resistance (down to 0.36Ω in the TO-220 package) combined with low gate charge and input/output capacitances enable highly-efficient adapters, solar micro-inverters and lighting applications.