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意法半导体的MDmesh 高压及超高压MOSFET具有超过700 V的击穿电压和超低的栅极电荷(Qg),其导通电阻RDS(on)在TO-220中低至250 mΩ(900 V时),在TO-247中低至900 mΩ(1500 V时)。这些高压超结功率MOSFET属于STPOWER系列。

提供的比电压包括800 V、850 V、900 V、950 V、1000 V、1050 V、1200 V和1700 V。

意法半导体还丰富了其超高电压MOSFET产品组合,引入了950 V和1050 V快速恢复二极管器件(MDmesh DK5),是ZVS LLC谐振转换器的理想选择。它们具有业界最佳的250 ns(典型)反向恢复时间(trr

这些N沟道高压MOSFET有助于简化设计,提高了SMPS、显示器和TV适配器、辅助电源、电池充电器、医疗、UPS、计量、微逆变器、LED驱动器、HF镇流器等应用的效率

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。