- SCTW100N120G2AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A, 30 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
- SCT20N120H 碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247封装
- SCTH100N120G2-AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A, 30 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
- SCTWA50N120 碳化硅功率MOSFET，1200 V、65 A、59 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247长引线封装
- SCTW40N120G2VAG 汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、33 A、75 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装
- SCTH40N120G2V-7 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an H2PAK-7 package
- SCT018H65G3AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HU2PAK-7 package
- SCTW35N65G2VAG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
- SCTH60N120G2-7 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
- SCT50N120 碳化硅功率MOSFET，1200 V、65 A、59 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装
- SCTH100N65G2-7AG 汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、20 mOhm（典型值，95 A），H2PAK-7封装
- SCTWA90N65G2V Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package
- SCTW60N120G2AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mOhm typ., 52 A in an HiP247 package
- SCTWA60N12G2-4AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mOhm typ., 52 A in an HiP247-4 package
- SCTWA40N120G2AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247 long leads package
- SCTW60N120G2 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247 package
- SCTWA40N12G24AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
- SCTWA60N120G2-4 碳化硅功率MOSFET 1200 V、35 mOhm（典型值），60 A，HiP247封装
- SCTWA60N120G2AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mOhm typ., 52 A in an HiP247 long leads package
- SCT070W120G3-4AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
- SCT070HU120G3AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
- SCT070H120G3AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
- SCT025H120G3AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
- SCT040W120G3-4AG 汽车级碳化硅功率MOSFET，120 V、40 mOhm（典型值，110 A），HiP247-4封装
- SCTWA70N120G2V Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
- SCTH40N120G2V7AG 汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、33 A、75 mOhm（典型值，TJ = 25 C），H2PAK-7封装
- SCT1000N170 碳化硅功率MOSFET：55 A、1700 V、70 mOhm（典型值，Tj = 150 C），N沟道，HiP247封装
- SCT012H90G3AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
- SCT1000N170AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
- SCT040H120G3AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
- SCT20N170AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 64 mOhm, 43 A in an HiP247 package
- SCT012W90G3AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247 package
- SCTHS250N65G3 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 6.7 mOhm typ., 207 A in a STPAK package
- SCTW35N65G2V 碳化硅功率MOSFET，650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装
- SCTWA20N120 碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247长引线封装
- SCTW70N120G2V 碳化硅功率MOSFET，650 V、100 A、22 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装
- SCTWA40N120G2V-4 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247-4 package
- SCTL90N65G2V Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package
- SCTWA70N120G2V-4 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
- SCTWA40N120G2V Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
- SCTWA90N65G2V-4 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
- SCT055HU65G3AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
- SCT30N120 碳化硅功率MOSFET，1200 V、45 A、90 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装
- SCT10N120 碳化硅功率MOSFET，1200 V、12 A、520 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装
- SCT30N120H Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an H2PAK-2 package
- SCTW40N120G2V Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
- SCT20N120AG 汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247封装
- SCTWA30N120 碳化硅功率MOSFET，1200 V、45 A、90 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247长引线封装
- SCT10N120AG 汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、12 A、520 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装
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- SCT060HU75G3AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
- SCT040W120G3AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
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