STR2P3LLH6

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P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STR2P3LLH6 SOT-23 Tape And Reel
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      DS9647
      P-channel -30 V, 48 mΩ typ., -2 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a SOT‑23 package
      5.0
      531.21 KB
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      DS9647

      P-channel -30 V, 48 mΩ typ., -2 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a SOT‑23 package

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      AN4391
      New P-channel trench technology from ST for low power DC-DC conversions and load switching applications
      1.0
      1.6 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      AN4391

      New P-channel trench technology from ST for low power DC-DC conversions and load switching applications

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STR2P3LLH6
批量生产
SOT-23 Industrial Ecopack2

STR2P3LLH6

Package:

SOT-23

Material Declaration**:

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Package

SOT-23

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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