STripFET F7系列

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意法半导体的STripFET™ F7系列低压功率MOSFET( 40 V - 120 V)具有增强的沟槽栅结构,可以降低器件的导通电阻,同时减小内部电容和栅极电荷,从而实现更快速、更高效的开关切换。

其出色的品质因数(FoM)和高雪崩耐量有助于简化设计,降低设备尺寸和成本,同时提高应用可靠性,例如电信或计算系统、太阳能逆变器、电机控制和汽车应用。这些功率MOSFET属于STPOWER系列。

特性和优势

  • 市场上最低的RDS(on)
  • 最小的RDS(on) x Qg,提高系统效率,使设计更加紧凑
  • 针对EMI抗扰性优化了Crss/Ciss比
  • 坚固的抗雪崩能力

相比于先前的F4和F3系列,最新的STripFET F7系列低压功率MOSFET在单位晶片面积上具有明显更低的导通电阻。这有助于减少并联器件的数量,进而简化了设计者对于高功率设计的需求。

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。

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