产品概述
描述
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
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所有功能
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
特别推荐
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STMicroelectronics - STS10P3LLH6
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符号
封装
3D模型
全部资源
| 资源标题 | 版本 | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STS10P3LLH6 | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | SO-8 | - | - | CHINA | | ||
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
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