STS10P4LLF6

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P沟道40 V、0.0125 Ohm典型值、10 A STripFET F6功率MOSFET,SO-8封装

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS10121
      P-channel 40 V, 0.0125 Ω typ., 10 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in SO-8 package
      3.0
      734.27 KB
      PDF
      DS10121

      P-channel 40 V, 0.0125 Ω typ., 10 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in SO-8 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      STS10P4LLF6 PSpice model 1.0
      3.34 KB
      ZIP

      STS10P4LLF6 PSpice model

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

质量与可靠性

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STS10P4LLF6
批量生产
SO-8 Industrial Ecopack2

STS10P4LLF6

Package:

SO-8

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

SO-8

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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