STS5P3LLH6

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P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 5 A STripFET H6 Power MOSFET in SO-8 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance RDS(on)
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STS5P3LLH6 SO-8 Tape And Reel
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      DS9648
      P-channel 30 V, 0.048 Ω typ., 5 A STripFET™ H6 DeepGATE™ Power MOSFET in an SO-8 package
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      DS9648

      P-channel 30 V, 0.048 Ω typ., 5 A STripFET™ H6 DeepGATE™ Power MOSFET in an SO-8 package

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      AN4391
      New P-channel trench technology from ST for low power DC-DC conversions and load switching applications
      1.0
      1.6 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4391

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STS5P3LLH6
批量生产
SO-8 Industrial Ecopack2

STS5P3LLH6

Package:

SO-8

Material Declaration**:

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批量生产

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SO-8

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Industrial

RoHS Compliance Grade

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