STS7P4LLF6

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This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low R_DS(on) in all packages.

主要特性
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
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STS7P4LLF6

SO-8

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封装

SO-8

包装类型

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软件开发工具
- Picture 产品型号
  
  制造商
  
  描述
  
  ST MOSFET Finder ST MOSFET product finder application for Android and iOS
  
  产品型号
  
  ST MOSFET Finder
  
  MOSFET product finder application for Android and iOS

Picture	产品型号	制造商	描述
	ST MOSFET Finder	ST	MOSFET product finder application for Android and iOS

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产品规格
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  DS10067
  P-channel 40 V, 0.0175 Ω typ.,7 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in an SO-8 package 2.0
  384.13 KB
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  DS10067
  
  P-channel 40 V, 0.0175 Ω typ.,7 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in an SO-8 package
  
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应用手册
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  AN4337
  The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters 1.1
  347.01 KB
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  AN4337
  
  The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
  
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用户手册
- 描述版本文档大小操作
  
  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
  PDF
  
  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
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