STS7P4LLF6

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This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low R_DS(on) in all packages.

主要特性
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
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STS7P4LLF6

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  STPOWER MOSFET Finder
  
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  DS10067
  P-channel 40 V, 0.0175 Ω typ.,7 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in an SO-8 package 2.0
  384.13 KB
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  DS10067
  
  P-channel 40 V, 0.0175 Ω typ.,7 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in an SO-8 package
  
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应用手册
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  AN4337
  The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters 1.1
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  AN4337
  
  The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
  
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用户手册
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  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
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  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
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