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STS8DN6LF6AG

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汽车级双路N沟道60 V、21 mOhm典型值、8 A STripFET F6功率MOSFET，SO-8封装

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  • This device is a dual N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
    • Logic level
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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		DS11953
      Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mΩ typ., 8 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a SO-8 package       		1.0
      706.01 KB
      		PDF
      DS11953

      Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mΩ typ., 8 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a SO-8 package

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance       		1.2
      1.13 MB
      		PDF
      		AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications       		1.2
      1.45 MB
      		PDF
      		AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies       		1.1
      1.22 MB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      PDF
      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      PDF
      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STS8DN6LF6AG PSpice model 1.0
      5.41 KB
      		ZIP

      STS8DN6LF6AG PSpice model

      ZIP

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF
      		STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
      1.15 MB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

      PDF

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

      PDF

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STS8DN6LF6AG
批量生产
SO-8 汽车应用 Ecopack2

STS8DN6LF6AG

Package:

SO-8

Material Declaration**:

PDF XML
More Info

Marketing Status

批量生产

Package

SO-8

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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ARROW EUROPE 5000 0 马上订购
MOUSER WORLDWIDE 14065 1 马上订购
Farnell Element14 EUROPE 1870 1 马上订购

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EAR99 NEC Tape And Reel SO-8 - - CHINA

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ECCN (US)

EAR99
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地区 库存 最小订购量 第三方链接
DIGIKEY WORLDWIDE 793 1 马上订购
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Farnell Element14

库存

1870

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EUROPE 马上订购

代理商库存报告日期: 2020-08-13

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

SO-8

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(最小值)

-

(最大值)

-

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商 。