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STS8DN6LF6AG

批量生产
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汽车级双路N沟道60 V、21 mOhm典型值、8 A STripFET F6功率MOSFET，SO-8封装

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产品概述

描述

This device is a dual N-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

  • 所有功能

    • AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
    • Logic level
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    • 产品型号
      		状态
      		描述
      		类型
      		供应商

      STPOWER MOSFET Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

      		 Finder Apps ST
      STPOWER MOSFET Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STS8DN6LF6AG

为您的应用下载所有EDA符号、封装和3D模型，加快您的设计速度。您可以从大量CAD格式中进行选择，以匹配您的设计工具链。

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符号

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3D model

3D模型

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Resource title
版本
Latest update

SPICE models (1)

Resource title
版本
Latest update
STS8DN6LF6AG PSpice model
1.0 31 Jan 2017
31 Jan 2017
STS8DN6LF6AG PSpice model 1.0

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STS8DN6LF6AG
批量生产
SO-8 汽车应用 Ecopack2

STS8DN6LF6AG

Package:

SO-8

Material Declaration**:

PDF XML
More Info

Marketing Status

批量生产

Package

SO-8

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。

样片和购买

产品型号
从分销商订购
从ST订购
供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度（ºC） Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
最小值
最大值
STS8DN6LF6AG 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
批量生产
EAR99 NEC Tape And Reel SO-8 - - CHINA

STS8DN6LF6AG

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99
更多信息

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

SO-8

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商。